半导体发光材料哪年发明的

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精选答案

光材料显示器的半导体发光： 1947年，人类首先开发出晶体管；1962年，哈隆亚克发明了LED。

在商业上，它们最初应用在计算器和手表上，早期计算机的小红灯就是由它们制成，后来很快应用到交通信号灯。LED可以产生激光，光纤通信就是激光和光导纤维相结合的产物，现在极为普遍的CD和DVD都与它密切相关。自从1990年开发出蓝光LED之后，摩天大楼以及广场上开始出现蔚为壮观的大屏幕彩色电视墙，它们是由数十万个LED芯片所组成的。不过，要想将LED应用到掌上电脑或笔记本计算机上却并不实际。

LED与OLED都是由半导体制成，半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间。半导体材料的束缚电子与自由电子之间的能隙很小。在给定电压下，电子获得足够能量后就会发生能级跃迁并开始导电。

半导体中若人为地掺入少量杂质可形成掺杂半导体，杂质对半导体导电性能影响很大。

在技术上通常通过控制杂质含量（即掺杂）来控制半导体导电特性。经过掺杂处理之后，半导体更容易导电；如果掺入的原子的外层电子数比原半导体材料的外层电子数少，则如同拿掉了电子，因此留下了带正电的空穴，称之为P型半导体，如四价原子硅晶体中掺入三价硼原子。

容易获取电子的原子称为受主，P型半导体由受主控制材料导电性。

反过来，如果掺杂之后有多余的电子，称之为N型半导体。

在四价原子硅晶体中掺入五价原子，例如磷或砷，就可形成N型半导体。

易释放电子的原子称为施主，N型半导体由施主控制材料导电性。

将电子添加到P型材料，则电子在遇到空穴后就可能掉到较低的能带上，放出能量与能隙相同的光子，其波长取决于发光材料的能隙大小。

要产生可见光，有机材料的低能带与高能导带之间的能隙大小必须落在狭窄的范围内，大约2至3电子伏特。所谓电子伏特是指一个电子被一伏特的电位差加速后所得到的动能。能量为1电子伏特光子的波长为1240纳米，相当于红外线的波长；能量为2电子伏特光子的波长为620纳米，其颜色偏红。

其他回答

在校学习的人

1839年发明的

1839年，一名来自法国的科学家，名字叫做贝克莱尔，他发现了光生伏特效应。

这一效应就是指半导体与其他物质相结合，在感受到光的照射的状态时，会自主产生电压，而这也是半导体的一大特征，也是半导体得以研制成功的理论支撑之一。

在1873年，一位来自英国的科学家发现了光电导效应。这个效应是指某个特殊材料在光的照射下会自主增加一些电流，这个效应同光生伏特效应相类似，但是又存着细节上的区别，同样也是半导体的独特性能之一。