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cmos光电探测器原理

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问题更新日期:2024-10-31 15:54:59

问题描述

cmos光电探测器原理急求答案,帮忙回答下
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CMOS光电探测器原理是通过由辐射引起被照射材料电导率发生改变,在受到光照之后其物理性质变化进行探测。

频率为v的光照射到材料表面时,材料中的电子将吸收hv的光子能量。若电子所增加的能量除了克服与晶格或其它电子碰撞损失的能量外,尚有一定的能量足以克服材料表面的势垒w,那么该电子将逸出材料表面进入空间。

当光频v0时,无论光强多大都不能产生光电子。但是当材料能产生光电流,则光电流的大小随光强的增加而增加。