imp在半导体的功能

问题描述

精选答案

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。