mos工艺流程

问题描述

精选答案

1.将硅单晶切成大圆片，并加以研磨、抛光。

2.抛光后的片子经仔细清洗后，热生长一层二氧化硅层。 （一次氧化）

3.用光刻技术可除漏、源扩散窗口上的二氧化硅。 （一次光刻）

4.进行选择性的杂质扩散。

5.去处所有二氧化硅，重新生长一层质量良好的栅极二氧化硅层，并进行磷处理。 （二次氧化+磷处理）

6.刻除漏、源引线窗口上的二氧化硅。（二次光刻）

7.在真空系统中蒸发铝。（铝蒸发）

8.反刻电极。

9.进行合金。

10.检出性能良好的管芯，烧焊在管座上，键合引线。

11.监察质量（中测）

12.封上管帽，喷漆。

13.总测。

14.打印，包装。